时间：2025/5/7 12:43:15
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60N04是一款N沟道增强型MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其额定电流为40A或60A，具体取决于制造商的规格。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：40A 或 60A
栅极阈值电压：2V 至 4V
导通电阻（典型值）：4mΩ
总功耗：14W
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
60N04具备非常低的导通电阻，这使其在高电流应用中能够有效减少功率损耗并提升效率。
它还支持快速开关操作，并且具备较低的输入电容，有助于降低开关损耗。
此外，该器件具有较高的雪崩击穿能量，增强了系统的可靠性与鲁棒性。
TO-252封装形式紧凑，适合空间受限的应用场景。
该MOSFET广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流
2. DC-DC转换器中的高频开关
3. 电池管理系统中的负载开关
4. 汽车电子设备中的电机驱动
5. 工业控制中的功率管理模块
IRFZ44N
STP40NF06
FDP5580
IXFN40N06T2
